二維材料由于其出色的性能，在汽車、半導體、石油化學和飛機發(fā)動機等多個行業(yè)中至關重要。理解二維材料的微觀結構、缺陷以及機械或電學特性對于其在先進技術中的應用至關重要，而有效制造和質量控制是發(fā)揮其潛力的關鍵。
Phenom AFM-SEM 原子力掃描電鏡一體機，同時獲取掃描電鏡 SEM 和 原子力顯微鏡 AFM 數據，并且實現自動關聯。可以實現對薄片的精確位置定位和表面分析，在單次采集中檢測多個薄片特征，能夠對二維材料的機械、電學、壓電、磁學、化學等多種性質進行表征和對比。
"低維材料基礎研究：適用于石墨烯、六方氮化硼（BNNSs）、過渡金屬二硫化物（TMDCs）、MXenes 等低維材料的基礎研究，包括新材料、功能化材料和異質結構材料。
制備工藝：在二維材料制備過程中用于質量控制和診斷，確保制造過程的可重復性和可靠性，同時進行缺陷表征。"
案例一 ：
TMDC 材料，由于其優(yōu)異的物理化學性質，在光電子器件、傳感器、催化劑和電化學能源存儲領域有巨大潛力。其單層的制造條件需要深入理解，以確保可靠和可重復的性能，如柔韌性、電學或機械性能。常見的 TMDC 材料包括二硫化鉬（MoS2）、二硒化鎢（WSe2）等，它們在二維材料領域具有重要地位。
使用 Phenom AFM-SEM 原子力掃描電鏡一體機，可以對通過化學氣相沉積（CVD）在厚 SiO2/Si 上生長的 MoS2 薄片進行精確和復雜分析。對兩組不同制備條件的樣品同時進行了掃描電子顯微鏡（SEM）、原子力顯微鏡（AFM）、靜電力顯微鏡（EFM）和相位成像測量，以比較結果并確定實現所需樣品特征的最佳制備參數。
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SEM：利用成分襯度差異，快速定位薄片。
AFM：可精確獲取二維材料表面粗糙度及高度。
EFM：用于觀察表面電荷分布和施加偏壓時的電響應。
相位成像：能夠識別更硬的薄片和更軟的基底，還可以檢測額外生長層的邊緣。
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案例二：
TBLG 因其能夠創(chuàng)造新的可調電子行為而被研究。扭曲影響帶隙的大小和形狀，導致原子結構的周期性調制，這在電學屬性中以莫爾圖案的形式可見。這些結構在傳感器、光子學和電子設備中很有前景。
使用 SEM，導電原子力顯微鏡（C-AFM）和壓電力顯微鏡（PFM）分析獲取扭曲雙層石墨烯（TBLG）的莫爾圖案。
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使用 Phenom AFM-SEM 原子力掃描電鏡一體機，對在碳化硅（SiC）上的石墨烯雙層進行電學性質測量，樣品上的不同 PFM 和 C-AFM 對比表明，扭曲和未扭曲的石墨烯雙層都存在。重點關注扭曲部分，可以觀察到以 45 納米周期性的莫爾圖案的調制。"
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