在材料科學與微觀分析的探索中,科研人員往往面臨著一個兩難的選擇:是追求落地式場發(fā)射電鏡(FE-SEM)的高分辨率,忍受其龐大的體積、苛刻的環(huán)境要求和復雜的制樣流程?還是妥協于普通臺式電鏡的便捷,卻在成像質量上止步不前?
荷蘭飛納(Phenom) 給出的答案是:不妥協。
Phenom Pharos G2 臺式場發(fā)射電鏡的出現,打破了“高性能"與“小體積"不可兼得的。作為搭載肖特基場發(fā)射電子源(Schottky FEG)的臺式掃描電鏡,它將科研級的分辨率裝進了桌面級的機身里,讓微觀世界的探索變得自由與高效。
1. 核心突破:低電壓下的超高清晰
傳統的鎢燈絲電鏡在低電壓下往往成像模糊,而 Pharos G2 得益于高亮度的肖特基場發(fā)射電子源,展現了驚人的物理性能。
分辨率優(yōu)于 1 nm:這不僅是數據的提升,更是視野的質變。
低電壓成像優(yōu)勢:即使在低加速電壓下,依然能獲得銳利圖像。這意味著對于絕緣材料、聚合物、生物組織等對電子束敏感的樣品,能夠顯著降低熱損傷和穿透效應,還原最真實的表面細節(jié)。
2. 效率革命:告別繁瑣,即刻成像
在分秒必爭的研發(fā)與質檢現場,時間就是成本。Pharos G2 將“用戶體驗"提升到了新的維度:
無需噴金,直接觀測:內置的真空鎖設計與低真空模式,允許直接觀察不導電樣品。告別費時的金屬鍍膜前處理,保留樣品原始狀態(tài)。
15秒極速抽真空:從放入樣品到出圖,僅需一杯咖啡抿一口的時間。
全自動化操作:結合彩色光學顯微鏡導航與自動馬達樣品臺,30分鐘即可培訓上手。無論是專家還是實習生,都能輕松駕馭。
3. 集成:形貌與成分的一站式分析
它不僅僅是一臺顯微鏡,更是一個微觀分析工作站。設備集成了三大核心功能,無需切換設備即可完成完整表征:
背散射電子成像 (BSE):快速判斷成分分布與襯度。
二次電子成像 (SE):清晰捕捉表面形貌與立體結構。
集成能譜分析 (EDS):高速、穩(wěn)定地進行元素成分定性與定量分析。
4. 穩(wěn)如磐石:適應各種復雜環(huán)境
不同于落地式電鏡對安裝環(huán)境的“挑剔",Pharos G2 專為適應性而生。
免防震臺設計:內置 27 組獨立減震模塊,有效隔離環(huán)境震動。無論是擁擠的學校實驗室、繁忙的企業(yè)研發(fā)室,還是空間狹小的辦公區(qū),它都能穩(wěn)定運行。
免維護電子光路:免調節(jié)、免對中設計,極大降低了后期維護難度與成本,確保了設備長期運行的一致性。
適用領域與應用場景
Pharos G2 的多功能性使其成為跨學科研究的理想伙伴:
新能源與鋰電:正負極粉末形貌分析、隔膜微孔結構觀測。
半導體與微電子:晶圓缺陷檢測、封裝工藝驗證。
材料科學:金屬斷口分析、納米陶瓷微觀結構、高分子復合材料研究。
生物與制藥:生物組織結構觀察、藥物微球分析。
為什么選擇 Phenom Pharos G2?
在同類產品中,Pharos G2 以其獨特的定位解決了傳統電鏡的痛點:
特性 | 傳統落地式 FE-SEM | 普通臺式 SEM | Phenom Pharos G2 |
電子源 | 場發(fā)射 (FEG) | 鎢燈絲/六硼化鑭 | 肖特基場發(fā)射 (FEG) |
分辨率 | 超高 (<1nm) | 一般 (>3nm) | 科研級 (<1nm,STEM模式) |
占地面積 | 需要獨立機房 | 桌面級 | 桌面級 (無需機房) |
抽真空時間 | 3-5 分鐘 | 1-3 分鐘 | < 15 秒 |
防震要求 | 超高 (需防震臺) | 一般 | 內置防震 (適應性強) |
Pharos G2 不僅僅是一臺設備,它是連接宏觀制造與微觀機理的橋梁,讓科研級的分析能力觸手可及。
如果您希望在您的實驗室見證 Phenom Pharos G2 的實力,或需要獲取詳細的技術參數、配置清單及報價,請隨時與我們聯系。
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